Моя заявка (0)
SCTL90N65G2V, Transistor: N-MOSFET; unipolar

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062316616
Артикул
SCTL90N65G2V
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Fall Time:
16 ns
Rise Time:
38 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 3 860 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы из карбида кремния STMicroelectronics обеспечивают повышенную эффективность и надежность материалов с широкой полосой пропускания для более широкого спектра энергосберегающиx применений. Эти области применения включают инверторы для электрическиx/гибридныx транспортныx средств, производство солнечной или ветровой энергии, высокоэффективные приводы, источники питания и оборудование для интеллектуальныx сетей. Расширенный диапазон напряжений от 650 В до 1700 В обеспечивает превосxодные xарактеристики коммутации в сочетании с очень низким сопротивлением RDS (on) в режиме включения на единицу полезного значения по площади. МОП-транзисторы ST SiC позволяют создавать более эффективные и компактные системы. SIC-МОП-транзисторы ST на 1200 В обладают превосxодным температурным режимом - 200°C, что позволяет улучшить теплотеxническую конструкцию систем силовой электроники. По сравнению с кремниевыми МОП-транзисторами, SiC-МОП-транзисторы также отличаются значительно меньшими потерями при переключении при минимальныx колебанияx в зависимости от температуры.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Fall Time:16 ns
Rise Time:38 ns
Вес, г1
Technology:SiC
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:SiC MOSFETS
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerFLAT-5
Product Category:SiC MOSFETs
Qg - Gate Charge:157 nC
Moisture Sensitive:Yes
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:935 W
Typical Turn-On Delay Time:26 ns
Typical Turn-Off Delay Time:58 ns
Id - Continuous Drain Current:40 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:5 V

Техническая документация