Моя заявка (0)

SCTH40N Type N-Channel MOSFET, 33 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK SCTH40N120G2V-7

SCTH40N Type N-Channel MOSFET, 33 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK SCTH40N120G2V-7

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014560300
Артикул
SCTH40N120G2V-7
Бренд
STMicroelectronics
Series
SCTH40N
Pin Count
7
Вес, г
1
Channel Type
N Channel
Цена по запросу
(от 4 226,36 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой МОП-транзистор STMicroelectronics на карбиде кремния был разработан с использованием передовой и инновационной теxнологии Sic-МОП-транзисторов 2-го поколения компании ST. Устройство отличается удивительно низким сопротивлением включению на единицу площади и очень xорошими xарактеристиками переключения. Изменение потерь при переключении практически не зависит от температуры переxода.

Технические параметры

SeriesSCTH40N
Pin Count7
Вес, г1
Channel TypeN Channel
Package TypeH2PAK-7
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation238Вт
СтруктураN-Channel
ОсобенностиEnhancement Mode
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage1200 V
Maximum Gate Threshold Voltage5V
Maximum Drain Source Resistance0.105 O
Drain Source On State Resistance0.07Ом
Maximum Continuous Drain Current33 A
Количество Выводов7вывод(-ов)
Непрерывный Ток Стока36А
Рассеиваемая Мощность238Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.45В
Напряжение Измерения Rds(on)18В
Напряжение Истока-стока Vds1.2кВ
Стиль Корпуса ТранзистораH2PAK
Конфигурация МОП-транзистораSingle
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1200
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.07Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А33
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация