SCTH35N65G2V-7,Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, H2PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003240682
- Артикул
- SCTH35N65G2V-7
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type
- Power MOSFET
- Mounting
- Surface Mount
- Polarity
- N
- Packaging
- Tape and Reel
Цена по запросу
(от 2 990 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N-CH, 650 В, 45 А, 175°C, 208 Вт СООТВЕТСТВУЕТ ТРЕБОВАНИЯМ ROHS: ДА
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | N |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 7+Tab |
| Вес, г | 1.45 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Package Type | H2PAK |
| Rad Hardened | No |
| Power Dissipation | 208(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Drain Source Voltage | 650V |
| Drain-Source On-Volt | 650(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 175C |
| Continuous Drain Current | 45(A) |
| Gate-Source Voltage (Max) | 22(V) |
| Operating Temperature Classification | Military |