SCTH100N65G2-7AG, Transistor: N-MOSFET; unipolar
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062316738
- Артикул
- SCTH100N65G2-7AG
- Бренд
- STMicroelectronics
- Grade
- Automotive
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- +22V, -10V
- Technology
- SiCFET(Silicon Carbide)
Цена по запросу
(от 3 125,33 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор из карбида кремния автомобильного класса STMicroelectronics был разработан с использованием передовой и инновационной теxнологии SiC-МОП-транзисторов 2-го поколения компании ST.
Технические параметры
| Grade | Automotive |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | +22V, -10V |
| Technology | SiCFET(Silicon Carbide) |
| Вес, г | 1 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Package / Case | TO-263-8, D2PAK(7 Leads+Tab), TO-263CA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 50A, 18V |
| Power Dissipation (Max) | 360W(Tc) |
| Supplier Device Package | H2PAK-7 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 162 nC @ 18 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3315 pF @ 520 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 95A(Tc) |