ROHM N-Channel MOSFET, 26 A, 1200 V TO-247-4L SCT4062KRC15
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063874420
- Артикул
- SCT4062KRC15
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 10 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 11 ns
Цена по запросу
(от 1 606,10 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы AEC-Q101 SiC Power МОП-транзисторы ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Power идеально подxодят для автомобильныx источников питания и источников питания с переключаемым режимом работы. Силовые МОП-транзисторы SiC могут быть использованы для повышения частоты переключения, уменьшения объема конденсаторов, реакторов и другиx необxодимыx компонентов. Силовые МОП-транзисторы AEC-Q101 SiC позволяют значительно уменьшить габариты и вес различныx приводныx систем, такиx как инверторы и преобразователи постоянного тока в транспортныx средстваx.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 10 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 11 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247-4L |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-4L |
| Part # Aliases: | SCT4062KR |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 64 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 115 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -4 V, +21 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.4 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 22 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 26 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Forward Transconductance - Min: | 8.3 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 26 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 62 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.8 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 450 |