N-Channel MOSFET, 26 A, 1200 V TO-247-4L SCT4062KRC15
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030969824
- Артикул
- SCT4062KRC15
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 10 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 11 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ROHM SCT4062KRC15 - это полупроводниковый моп-транзистор, который способствует миниатюризации и низкому энергопотреблению приложений. Это продукт 4-го поколения, который обеспечивает лучшее в отрасли низкое сопротивление включению без ущерба для времени выдержки короткого замыкания. Это 4-контактный корпус с разъемом источника питания драйвера, который обеспечивает максимальную производительность высокоскоростной коммутации. это особенность Sic Mosfet этой серии, которая позволяет снизить сопротивление при включении примерно на 40% и потери при переключении примерно на 50% по сравнению с обычными продуктами. Напряжение между затвором и источником 15 В упрощает проектирование приложений.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 10 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 11 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247-4L |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-4L |
| Part # Aliases: | SCT4062KR |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 64 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 115 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -4 V, +21 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.4 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 22 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 26 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Forward Transconductance - Min: | 8.3 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 26 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 62 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.8 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 450 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 26 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |