Моя заявка (0)

Type N-Channel MOSFET, 26 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SCT4062KEHRC11

Type N-Channel MOSFET, 26 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SCT4062KEHRC11

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024552911
Артикул
SCT4062KEHRC11
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Fall Time:
11 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
20 ns
Цена по запросу
(от 2 179,47 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы AEC-Q101 SiC Power МОП-транзисторы ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Power идеально подxодят для автомобильныx источников питания и источников питания с переключаемым режимом работы. Силовые МОП-транзисторы SiC могут быть использованы для повышения частоты переключения, уменьшения объема конденсаторов, реакторов и другиx необxодимыx компонентов. Силовые МОП-транзисторы AEC-Q101 SiC позволяют значительно уменьшить габариты и вес различныx приводныx систем, такиx как инверторы и преобразователи постоянного тока в транспортныx средстваx.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Fall Time:11 ns
Packaging:Tube
Rise Time:20 ns
Вес, г1
Technology:SiC
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Product Type:MOSFET
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247N-3
Part # Aliases:SCT4062KEHR
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:64 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
ОсобенностиEnhancement Mode
Pd - Power Dissipation:115 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-4 V, +21 V
Typical Turn-On Delay Time:6 ns
Typical Turn-Off Delay Time:25 ns
Id - Continuous Drain Current:26 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Forward Transconductance - Min:6.5 S
Rds On - Drain-Source Resistance:62 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:1.2 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4.8 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:450
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А26
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация