N-Channel MOSFET, 34 A, 750 V Tube SCT4045DEC11
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030969820
- Артикул
- SCT4045DEC11
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 12 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 28 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ROHM SCT4045DE - это полупроводниковый Моп-транзистор, который способствует миниатюризации и низкому энергопотреблению приложений. Это продукт 4-го поколения, который обеспечивает лучшее в отрасли низкое сопротивление при включении без ущерба для времени выдержки короткого замыкания. Низкое сопротивление при включении. высокая скорость переключения. быстрое восстановление в обратном направлении. простота в параллельном подключении. Простое управление. Не содержит свинца. Покрытие ROHS соответствие требованиям этой серии позволяет снизить сопротивление при включении примерно на 40% и потери при переключении примерно на 50% по сравнению с обычными продуктами. Напряжение между затвором и источником 15 В упрощает проектирование приложений.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 12 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 28 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Channel Type | N |
| Package Type | Tube |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247N-3 |
| Part # Aliases: | SCT4045DE |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 63 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 115 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -4 V, +21 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.8 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 750 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 29 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 34 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 34 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 45 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 750 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.8 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 450 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 750 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 34 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |