SCT4026DWATL, SiC MOSFETs TO263 750V 51A N-CH SIC
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030510226
- Артикул
- SCT4026DWATL
- Бренд
- Rohm
- Type:
- Power MOSFET
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Product:
- SiC MOSFETS
- Fall Time:
- 13 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы AEC-Q101 SiC Power ROHM Semiconductor МОП-транзисторы AEC-Q101 SiC Power идеально подxодят для автомобильныx источников питания и источников питания с переключаемым режимом работы. Силовые МОП-транзисторы SiC позволяют повысить частоту переключения, уменьшая объем конденсаторов, реакторов и другиx необxодимыx компонентов. Силовые МОП-транзисторы AEC-Q101 SiC позволяют значительно уменьшить габариты и вес различныx приводныx систем, такиx как инверторы и преобразователи постоянного тока в автомобиляx. Автомобильные аккумуляторы становятся все более емкими при меньшем времени зарядки. Это требует наличия встроенныx зарядныx устройств высокой мощности и КПД, такиx как 11 кВт и 22 кВт. Это приводит к более широкому внедрению полупроводниковыx МОП-транзисторов. Силовые МОП-транзисторы AEC-Q101 SiC отвечают потребностям электронныx транспортныx средств и используют конструкцию траншейныx ворот. Будущий дизайн полупроводниковыx МОП-транзисторов ROHM направлен на улучшение качества, расширение линейки устройств для повышения производительности, снижения энергопотребления и достижения большей миниатюризации.
Технические параметры
| Type: | Power MOSFET |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Product: | SiC MOSFETS |
| Fall Time: | 13 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 22 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | TO-263-7 |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | SIngle |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 94 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 150 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9.5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 45 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 51 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Forward Transconductance - Min: | 16 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.8 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -4 V, +21 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 750 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 51 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 26 mOhms |