Моя заявка (0)
SCT4026DW7HRTL, SiC MOSFETs TO263 750V 51A N-CH SIC

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8069720114
Артикул
SCT4026DW7HRTL
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Fall Time:
13 ns
Rise Time:
22 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 2 721,30 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные силовые МОП-транзисторы SiC 4-го поколения N-канальные силовые МОП-транзисторы ROHM Semiconductor 4-го поколения из карбида кремния (SiC) обеспечивают низкое сопротивление при включении и увеличивают время выдержки короткого замыкания. МОП-транзисторы SiC 4-го поколения легко распараллеливаются и просты в управлении. МОП-транзисторы отличаются высокой скоростью переключения/реверсивным восстановлением, низкими потерями при переключении и максимальной рабочей температурой +175°C. N-канальные SSiC-МОП-транзисторы ROHM 4-го поколения поддерживают напряжение между затвором и источником 15 В, что способствует экономии энергии устройства.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Fall Time:13 ns
Rise Time:22 ns
Вес, г1
Technology:SiC
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Product Type:MOSFET
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-263-7L
Part # Aliases:SCT4026DW7HR
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:94 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:150 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-4 V, +21 V
Typical Turn-On Delay Time:9.5 ns
Typical Turn-Off Delay Time:45 ns
Id - Continuous Drain Current:51 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Forward Transconductance - Min:16 S
Rds On - Drain-Source Resistance:26 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:750 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4.8 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Пороговое напряжение на затворе-4 V, +21 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В750
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А51
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация