Type N-Channel MOSFET, 56 A, 750 V N, 4-Pin Tube SCT4026DRC15
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030969817
- Артикул
- SCT4026DRC15
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 13 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 22 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ROHM SCT4026DRC15 - это полупроводниковый Моп-транзистор, который способствует миниатюризации и низкому энергопотреблению приложений. Это продукт 4-го поколения, который обеспечивает лучшее в отрасли низкое сопротивление при включении без ущерба для времени, необxодимого для защиты от короткого замыкания. Это 4-контактный корпус с разъемом источника питания, который обеспечивает максимальную производительность высокоскоростной коммутации. это особенность Sic Mosfet этой серии, которая позволяет снизить сопротивление при включении примерно на 40% и потери при переключении примерно на 50% по сравнению с обычными продуктами. Напряжение между затвором и источником 15 В упрощает проектирование приложений.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 13 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 22 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Channel Type | N |
| Package Type | Tube |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-4L |
| Part # Aliases: | SCT4026DR |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 94 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 176 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -4 V, +21 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9.5 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 750 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 45 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 56 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 56 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 26 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 750 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.8 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 450 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 750 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 56 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |