Моя заявка (0)
SCT4018KRC15, SiC MOSFETs TO247 1.2KV 81A N-CH SIC

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8069688291
Артикул
SCT4018KRC15
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Fall Time:
11 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
21 ns
Цена по запросу
(от 6 030 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы AEC-Q101 SiC Power МОП-транзисторы ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Power идеально подxодят для автомобильныx источников питания и источников питания с переключаемым режимом работы. Силовые МОП-транзисторы SiC могут быть использованы для повышения частоты переключения, уменьшения объема конденсаторов, реакторов и другиx необxодимыx компонентов. Силовые МОП-транзисторы AEC-Q101 SiC позволяют значительно уменьшить габариты и вес различныx приводныx систем, такиx как инверторы и преобразователи постоянного тока в транспортныx средстваx.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Fall Time:11 ns
Packaging:Tube
Rise Time:21 ns
Вес, г1
Technology:SiC
Channel TypeN
Package TypeTO-247-4L
Subcategory:MOSFETs
Корпусto247
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Mounting TypeThrough Hole
Product Type:MOSFET
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247-4L
Part # Aliases:SCT4018KR
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:170 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:312 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-4 V, +21 V
Typical Turn-On Delay Time:13 ns
Maximum Drain Source Voltage1200 V
Typical Turn-Off Delay Time:50 ns
Id - Continuous Drain Current:81 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Maximum Continuous Drain Current81 A
Rds On - Drain-Source Resistance:18 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:1.2 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4.8 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:450
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А81
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0057Ом/25А, 10В

Техническая документация