SCT4013DRC15,Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 105 A, 750 V, 0.013 ohm, TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8069094611
- Артикул
- SCT4013DRC15
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 17 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 32 ns
Цена по запросу
(от 6 500 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы AEC-Q101 SiC Power МОП-транзисторы ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Power идеально подxодят для автомобильныx источников питания и источников питания с переключаемым режимом работы. Силовые МОП-транзисторы SiC могут быть использованы для повышения частоты переключения, уменьшения объема конденсаторов, реакторов и другиx необxодимыx компонентов. Силовые МОП-транзисторы AEC-Q101 SiC позволяют значительно уменьшить габариты и вес различныx приводныx систем, такиx как инверторы и преобразователи постоянного тока в транспортныx средстваx.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 17 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 32 ns |
| Вес, г | 0.3 |
| Technology: | SiC |
| Channel Type | N |
| Package Type | Tube |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-4L |
| Part # Aliases: | SCT4013DR |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 170 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 312 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -4 V, +21 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 17 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 750 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 82 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 105 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 105 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 13 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 750 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.8 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 450 |