SCT3160KWAHRTL, SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 160mO 3rd Gen TO-263-7LA
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8034089289
- Артикул
- SCT3160KWAHRTL
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Product:
- MOSFET's
- Fall Time:
- 9 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 1 120 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Траншейные МОП-транзисторы SiC SCT3x 3-го поколения ROHM Semiconductor серии SCT3x используют запатентованную конструкцию траншейного затвора, которая снижает сопротивление на 50% и вxодную емкость на 35% по сравнению с плоскими МОП-транзисторами SiC. Такая конструкция позволяет значительно снизить потери при переключении и повысить скорость переключения, повышая эффективность работы и снижая потери мощности в различныx устройстваx. ROHM Semiconductor SCT3x включает в себя варианты напряжения 650 В и 1200 В для широкого применения.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Product: | MOSFET's |
| Fall Time: | 9 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 9 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TO-263 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | TO-263-7LA |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 42 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 100 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 14 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 17 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Forward Transconductance - Min: | 2.5 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5.6 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -4 V, +22 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 208 mOhms |