Моя заявка (0)

SiC N-Channel MOSFET, 17 A, 1200 V, 7-Pin D2PAK SCT3160KW7HRTL

SiC N-Channel MOSFET, 17 A, 1200 V, 7-Pin D2PAK SCT3160KW7HRTL

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030987892
Артикул
SCT3160KW7HRTL
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Pin Count
7
Fall Time:
9 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 1 545,89 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор ROHM соответствует стандарту AEC-Q101 для автомобильной промышленности и представляет собой траншейный МОП-транзистор SiC. Его xарактеристики включают высокое сопротивление напряжению, низкое сопротивление току и высокую скорость переключения.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Pin Count7
Fall Time:9 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:9 ns
Вес, г1
Technology:SiC
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-263-7L
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-263-7
Part # Aliases:SCT3160KW7HR
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:42 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSiC
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:59 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-10 V, +22 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:3 ns
Maximum Drain Source Voltage1200 V
Typical Turn-Off Delay Time:14 ns
Id - Continuous Drain Current:17 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Continuous Drain Current17 A
Rds On - Drain-Source Resistance:208 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:1.2 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:5.6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А17
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация