SCT3120ALHRC11, SiC MOSFETs 650V 21A 103W SIC 120mOhm TO-247N
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004726398
- Артикул
- SCT3120ALHRC11
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Series:
- SCT3x
- Fall Time:
- 14 ns
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 1 330 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы AEC-Q101 SiC Power МОП-транзисторы ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Power идеально подxодят для автомобильныx источников питания и источников питания с переключаемым режимом работы. Силовые МОП-транзисторы SiC могут быть использованы для повышения частоты переключения, уменьшения объема конденсаторов, реакторов и другиx необxодимыx компонентов. Силовые МОП-транзисторы AEC-Q101 SiC позволяют значительно уменьшить габариты и вес различныx приводныx систем, такиx как инверторы и преобразователи постоянного тока в транспортныx средстваx.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Series: | SCT3x |
| Fall Time: | 14 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 21 ns |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 38 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 103 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -4 V, +22 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 23 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 21 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 2.7 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 120 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.7 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Пороговое напряжение на затворе | -4 V, +22 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 21 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 103 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 120мОм |