SCT3120ALGC11, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009593463
- Артикул
- SCT3120ALGC11
- Бренд
- Rohm
- Width
- 5mm
- FET Type
- N-Channel
- Pin Count
- 3
- Vgs (Max)
- +22V, -4V
Цена по запросу
(от 1 220 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Низкое сопротивление включению, высокая скорость переключения, быстрое восстановление в обратном направлении, простое распараллеливание, простое управление, не содержит свинца, соответствует требованиям RoHS.
Технические параметры
| Width | 5mm |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Technology | SiCFET(Silicon Carbide) |
| Вес, г | 3 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247N |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 3.33mA |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | SiC |
| Operating Temperature | 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 156mOhm @ 6.7A, 18V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 103W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 103 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 38 nC @ 18 V |
| Maximum Gate Source Voltage | 22 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 18 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5.6V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.7V |
| Maximum Drain Source Resistance | 158.4 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 21 A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 460 pF @ 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A(Tc) |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 21 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |