SCT30N120, Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1,2кВ, 34А, Idm: 90А, 270Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8042953598
- Артикул
- SCT30N120
- Бренд
- STMicroelectronics
- Width
- 5.15mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 4.44
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 5 920 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы на основе карбида кремния (SiC) обладают очень низким статическим сопротивлением при включении источника питания при напряжении 1200 В в сочетании с отличными xарактеристиками коммутации, что позволяет создавать более эффективные и компактные системы.
Технические параметры
| Width | 5.15mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 4.44 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | HiP247 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 3.5V |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 270 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 105 nC @ 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -10 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Operating Temperature | +200 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Drain Source Resistance | 100 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 45 A |