Моя заявка (0)

SiC N-Channel MOSFET, 31 A, 1200 V, 4-Pin TO-247-4L SCT3080KRHRC15

SiC N-Channel MOSFET, 31 A, 1200 V, 4-Pin TO-247-4L SCT3080KRHRC15

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030987890
Артикул
SCT3080KRHRC15
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Pin Count
4
Fall Time:
13 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 3 072,99 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор ROHM соответствует стандарту AEC-Q101 для автомобильной промышленности и представляет собой траншейный МОП-транзистор SiC. Его xарактеристики включают высокое сопротивление напряжению, низкое сопротивление току и высокую скорость переключения.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Pin Count4
Fall Time:13 ns
Packaging:Tube
Rise Time:14 ns
Вес, г1
Technology:SiC
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-247-4L
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Mounting TypeThrough Hole
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247-4L
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:60 nC
СтруктураN-Channel
Moisture Sensitive:Yes
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSiC
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:165 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-4 V, +22 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:5 ns
Maximum Drain Source Voltage1200 V
Typical Turn-Off Delay Time:19 ns
Id - Continuous Drain Current:31 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Forward Transconductance - Min:4.4 S
Maximum Continuous Drain Current31 A
Rds On - Drain-Source Resistance:80 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:1.2 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:5.6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:450
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А31
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация