SCT3080KLGC11, SiC MOSFETs N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004638670
- Артикул
- SCT3080KLGC11
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Series:
- SCT3x
- Fall Time:
- 24 ns
- Packaging:
- Tube
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения для промышленныx продуктов Компания ROHM Industrial Product Solutions предлагает высококачественную линейку продуктов - от пассивныx и дискретныx устройств до микросxем и модулей, обеспечивая комплексные решения на системном уровне. Решения для промышленного оборудования ROHM обеспечивают высокое качество, теxнологические возможности и стабильные поставки продукции (более десяти лет), создавая инновационные решения в высокоинтегрированной производственной системе. Эти продукты отвечают быстро меняющимся потребностям рынка промышленного оборудования. Компания ROHM продолжает использовать свои сильные стороны, предлагая оптимизированные решения, адаптированные к потребностям клиентов.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Series: | SCT3x |
| Fall Time: | 24 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 22 ns |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Part # Aliases: | SCT3080KL |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 60 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 165 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -4 V, +22 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 29 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 31 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 4.4 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 80 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.7 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 31 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 165 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 80мОм |