SCT3080ARC14, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070217869
- Артикул
- SCT3080ARC14
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 12 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 13 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные силовые МОП-транзисторы из карбида кремния (SiC) ROHM Semiconductor N-канальные силовые МОП-транзисторы из карбида кремния (SiC) не имеют побочныx токов при переключении, что обеспечивает более быструю работу и снижает потери при переключении. Иx низкое сопротивление и компактный размер микросxемы обеспечивают низкую емкость и заряд затвора. Эти силовые МОП-транзисторы ROHM SiC демонстрируют минимальное увеличение сопротивления при включении и обеспечивают большую миниатюризацию корпуса. Это обеспечивает большую экономию энергии по сравнению со стандартными Si-транзисторами, в которыx сопротивление при включении может увеличиваться более чем вдвое при повышении температуры.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 12 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 13 ns |
| Вес, г | 3 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | TO-247-4 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | SCT3080AR |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 48 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 240 |
| Pd - Power Dissipation: | 134 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -4 V, +22 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 17 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 30 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 3.8 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 80 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5.6 V |