Моя заявка (0)

SCT3080ALHRC11, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247N

SCT3080ALHRC11, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247N

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001873978
Артикул
SCT3080ALHRC11
Бренд
Rohm
Вес, г
5
Серия
SCT3x
Channel Type
N Channel
Упаковка
Tube
Цена по запросу
(от 3 200 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N

Технические параметры

Вес, г5
СерияSCT3x
Channel TypeN Channel
УпаковкаTube
Power Dissipation134Вт
СтруктураN-Channel
ТехнологияSiC
Вид монтажаThrough Hole
Время спада16 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокTO-247-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора48 nC
Время нарастания26 ns
Drain Source On State Resistance0.08Ом
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Непрерывный Ток Стока30А
Рассеиваемая Мощность134Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs5.6В
Pd - рассеивание мощности134 W
Id - непрерывный ток утечки30 A
Напряжение Измерения Rds(on)18В
Напряжение Истока-стока Vds650В
Размер фабричной упаковки30
Стиль Корпуса ТранзистораTO-247N
Vgs - напряжение затвор-исток4 V, + 22 V
Конфигурация МОП-транзистораSingle
Rds Вкл - сопротивление сток-исток80 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
Пороговое напряжение на затворе-4 V, +22 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная Рабочая Температура175°C
Типичное время задержки выключения27 ns
Типичное время задержки при включении16 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.7 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.08Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А30
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.3.8 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт134
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.08 Ом

Техническая документация