Моя заявка (0)
SCT3060ALHRC11, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070130965
Артикул
SCT3060ALHRC11
Бренд
Rohm
Grade
Automotive
Brand:
ROHM Semiconductor
Series:
SCT3x
FET Type
N-Channel
Цена по запросу
(от 3 073,85 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые устройства из карбида кремния (SiC) Силовые устройства ROHM Semiconductor SiC обеспечивают в 10 раз большую напряженность поля пробоя диэлектрика, в 3 раза большую ширину запрещенной зоны и в 3 раза большую теплопроводность по сравнению с обычными кремниевыми решениями. Это приводит к снижению потерь при переключении, снижению сопротивления и поддержке работы при высокиx температураx, что позволяет свести к минимуму потери мощности наряду с размерами модуля. Силовые устройства ROHM SiC также позволяют разработчикам использовать меньшее количество компонентов, что еще больше снижает сложность проектирования.

Технические параметры

GradeAutomotive
Brand:ROHM Semiconductor
Series:SCT3x
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)+22V, -4V
Fall Time:21 ns
Packaging:Tube
Rise Time:37 ns
TechnologySiCFET(Silicon Carbide)
Вес, г3
Technology:SiC
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Mounting TypeThrough Hole
Product Type:MOSFET
QualificationAEC-Q101
Configuration:Single
Package / CaseTO-247-3
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247-3
Part # Aliases:SCT3060ALHR
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:58 nC
Vgs(th) (Max) @ Id5.6V @ 6.67mA
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Operating Temperature175°C(TJ)
Factory Pack Quantity:450
Rds On (Max) @ Id, Vgs78mOhm @ 13A, 18V
Pd - Power Dissipation:165 W
Power Dissipation (Max)165W
Supplier Device PackageTO-247N
Vgs - Gate-Source Voltage:-4 V, +22 V
Typical Turn-On Delay Time:19 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs58 nC @ 18 V
Typical Turn-Off Delay Time:34 ns
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Id - Continuous Drain Current:39 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:4.9 S
Rds On - Drain-Source Resistance:60 mOhms
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds852 pF @ 500 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C39A(Tc)
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.7 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:30

Техническая документация