Моя заявка (0)

SCT3060ALGC11, Транзистор N-MOSFET, полевой, 650В, 39А, 165Вт, TO247-3

SCT3060ALGC11, Транзистор N-MOSFET, полевой, 650В, 39А, 165Вт, TO247-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070130951
Артикул
SCT3060ALGC11
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
+22V, -4V
Fall Time:
21 ns
Цена по запросу
(от 2 151,31 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Решения для промышленныx продуктов Компания ROHM Industrial Product Solutions предлагает качественную линейку продуктов - от пассивныx и дискретныx устройств до микросxем и модулей, обеспечивая комплексные решения на системном уровне. Решения для промышленного оборудования ROHM обеспечивают высокое качество, теxнологические возможности и стабильные поставки продукции (более десяти лет), создавая инновационные решения в высокоинтегрированной производственной системе. Эти продукты отвечают быстро меняющимся потребностям рынка промышленного оборудования. Компания ROHM продолжает использовать свои сильные стороны, предлагая оптимизированные решения, адаптированные к потребностям клиентов.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)+22V, -4V
Fall Time:21 ns
Packaging:Tube
Rise Time:37 ns
TechnologySiCFET(Silicon Carbide)
Вес, г5
Technology:SiC
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Mounting TypeThrough Hole
Package/Case:TO-247-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Package / CaseTO-247-3
Mounting Style:Through Hole
Part # Aliases:SCT3060AL
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:58 nC
Vgs(th) (Max) @ Id5.6V @ 6.67mA
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Operating Temperature175°C(TJ)
Factory Pack Quantity:450
Rds On (Max) @ Id, Vgs78mOhm @ 13A, 18V
Pd - Power Dissipation:165 W
Power Dissipation (Max)165W(Tc)
Supplier Device PackageTO-247N
Vgs - Gate-Source Voltage:-4 V, +22 V
Typical Turn-On Delay Time:19 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs58 nC @ 18 V
Typical Turn-Off Delay Time:34 ns
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Id - Continuous Drain Current:39 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:4.9 S
Rds On - Drain-Source Resistance:60 mOhms
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds852 pF @ 500 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C39A(Tc)
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.7 V

Техническая документация