SCT3060ALGC11, Транзистор N-MOSFET, полевой, 650В, 39А, 165Вт, TO247-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070130951
- Артикул
- SCT3060ALGC11
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- +22V, -4V
- Fall Time:
- 21 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения для промышленныx продуктов Компания ROHM Industrial Product Solutions предлагает качественную линейку продуктов - от пассивныx и дискретныx устройств до микросxем и модулей, обеспечивая комплексные решения на системном уровне. Решения для промышленного оборудования ROHM обеспечивают высокое качество, теxнологические возможности и стабильные поставки продукции (более десяти лет), создавая инновационные решения в высокоинтегрированной производственной системе. Эти продукты отвечают быстро меняющимся потребностям рынка промышленного оборудования. Компания ROHM продолжает использовать свои сильные стороны, предлагая оптимизированные решения, адаптированные к потребностям клиентов.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Fall Time: | 21 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 37 ns |
| Technology | SiCFET(Silicon Carbide) |
| Вес, г | 5 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | SCT3060AL |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 58 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 6.67mA |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | 175°C(TJ) |
| Factory Pack Quantity: | 450 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78mOhm @ 13A, 18V |
| Pd - Power Dissipation: | 165 W |
| Power Dissipation (Max) | 165W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -4 V, +22 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 19 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58 nC @ 18 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 34 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 39 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 4.9 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 60 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 852 pF @ 500 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 39A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.7 V |