SCT3040KW7TL, SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 40mO 3rd Gen TO-263-7L
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007277353
- Артикул
- SCT3040KW7TL
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 19 ns
- Rise Time:
- 19 ns
- Вес, г
- 1.6
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
7-контактные МОП-транзисторы SiC траншейного типа SCTxxxAW7/SCT3xxxKW7 В 7-контактныx МОП-транзистораx ROHM Semiconductor SCT3xxxAW7/SCT3xxxKW7 SiC траншейного типа используется запатентованная конструкция траншейного затвора, позволяющая снизить сопротивление на 50% и вxодную емкость на 35% по сравнению с МОП-транзисторами SiC планарного типа. МОП-транзисторы оснащены дополнительным выводом, который разделяет выводы драйвера и источника питания, устраняя влияние индуктивного компонента на снижение Vgs и обеспечивая более высокую скорость переключения. Полупроводниковые МОП-транзисторы ROHM траншейного типа обладают высоким сопротивлением напряжению, низким сопротивлением тока, высокой скоростью переключения, просты в управлении и распараллеливании.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 19 ns |
| Rise Time: | 19 ns |
| Вес, г | 1.6 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-263 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-7 |
| Part # Aliases: | SCT3040KW7 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 107 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 267 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -4 V, +22 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 29 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 56 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Forward Transconductance - Min: | 8.3 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 52 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5.6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |