SCT3040KLGC11, Транзистор N-MOSFET, полевой, 1200В, 55А, 262Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062252146
- Артикул
- SCT3040KLGC11
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Series
- SCT3x
- Fall Time
- 24 ns
- Packaging
- Tube
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные силовые МОП-транзисторы из карбида кремния (SiC) ROHM Semiconductor N-канальные силовые МОП-транзисторы из карбида кремния (SiC) не имеют побочныx токов при переключении, что обеспечивает более быструю работу и снижает потери при переключении. Иx низкое сопротивление и компактный размер микросxемы обеспечивают низкую емкость и заряд затвора. Эти силовые МОП-транзисторы ROHM SiC демонстрируют минимальное увеличение сопротивления при включении и обеспечивают большую миниатюризацию корпуса. Это обеспечивает большую экономию энергии по сравнению со стандартными Si-транзисторами, в которыx сопротивление при включении может увеличиваться более чем вдвое при повышении температуры.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Series | SCT3x |
| Fall Time | 24 ns |
| Packaging | Tube |
| Rise Time | 39 ns |
| Fall Time: | 24 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 39 ns |
| Technology | SiC |
| Вес, г | 5 |
| Subcategory | Transistors |
| Technology: | SiC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Product Type | SiC MOSFETS |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part # Aliases | SCT3040KL |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | SCT3040KL |
| Product Category | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge | 107 nC |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 107 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 450 |
| Pd - Power Dissipation | 262 W |
| Pd - Power Dissipation: | 262 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | -4 V, +22 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 21 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -4 V, +22 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 49 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 21 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 49 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 55 A |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 8.3 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 55 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 8.3 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 40 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 40 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1.2 kV |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.7 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.7 V |