Моя заявка (0)
SCT3030ALGC11, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062576940
Артикул
SCT3030ALGC11
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Series:
SCT3x
Fall Time:
27 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 3 528,38 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые устройства из карбида кремния (SiC) Силовые устройства ROHM Semiconductor SiC обеспечивают в 10 раз большую напряженность поля пробоя диэлектрика, в 3 раза большую ширину запрещенной зоны и в 3 раза большую теплопроводность по сравнению с обычными кремниевыми решениями. Это приводит к снижению потерь при переключении, снижению сопротивления и поддержке работы при высокиx температураx, что позволяет свести к минимуму потери мощности наряду с размерами модуля. Силовые устройства ROHM SiC также позволяют разработчикам использовать меньшее количество компонентов, что еще больше снижает сложность проектирования.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Series:SCT3x
Fall Time:27 ns
Packaging:Tube
Rise Time:41 ns
Вес, г3
Technology:SiC
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247-3
Part # Aliases:SCT3030AL
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:104 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:262 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-4 V, +22 V
Typical Turn-On Delay Time:22 ns
Typical Turn-Off Delay Time:48 ns
Id - Continuous Drain Current:70 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:9.4 S
Rds On - Drain-Source Resistance:30 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.7 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:30