SCT3022KLGC11, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062276972
- Артикул
- SCT3022KLGC11
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Series:
- SCT3x
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- +22V, -4V
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые устройства из карбида кремния (SiC) Силовые устройства ROHM Semiconductor SiC обеспечивают в 10 раз большую напряженность поля пробоя диэлектрика, в 3 раза большую ширину запрещенной зоны и в 3 раза большую теплопроводность по сравнению с обычными кремниевыми решениями. Это приводит к снижению потерь при переключении, снижению сопротивления и поддержке работы при высокиx температураx, что позволяет свести к минимуму потери мощности наряду с размерами модуля. Силовые устройства ROHM SiC также позволяют разработчикам использовать меньшее количество компонентов, что еще больше снижает сложность проектирования.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Series: | SCT3x |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Fall Time: | 28 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 44 ns |
| Technology | SiCFET(Silicon Carbide) |
| Вес, г | 5 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Part # Aliases: | SCT3022KL |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 178 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 18.2mA |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28.6mOhm @ 36A, 18V |
| Pd - Power Dissipation: | 427 W |
| Power Dissipation (Max) | 427W |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -4 V, +22 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 29 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 178 nC @ 10 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 67 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 95 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 14.2 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 22 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2879 pF @ 800 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 95A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.7 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |