SCT2H12NZGC11, SiC MOSFETs 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025556010
- Артикул
- SCT2H12NZGC11
- Бренд
- Rohm
- Width
- 5mm
- Series
- SCT2H12NZ
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 1 037,29 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 5mm |
| Series | SCT2H12NZ |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-3PFM |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 4.3V |
| Особенности | высоковольтный |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 35 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 14 nC @ 18 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -6 V, +22 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1700 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.6V |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.5 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.7 A |
| Пороговое напряжение на затворе | -12 V, +12 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1700 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 35 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |