Моя заявка (0)

SCT2H12NWBTL1,Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 3.9 A, 1.7 kV, 1.5 ohm, TO-263

SCT2H12NWBTL1,Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 3.9 A, 1.7 kV, 1.5 ohm, TO-263

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8059376934
Артикул
SCT2H12NWBTL1
Бренд
Rohm
Вес, г
1.46
No. of Pins
7Pins
Channel Type
N Channel
Transistor Case Style
TO-263
Цена по запросу
(от 699 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г1.46
No. of Pins7Pins
Channel TypeN Channel
Transistor Case StyleTO-263
Drain Source Voltage Vds1.7kV
Operating Temperature Max175°C
Continuous Drain Current Id3.9A
MOSFET Module ConfigurationSingle
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт39W
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)18V

Техническая документация