SCT2280KEHRC11, SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 280mO 2nd Gen TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8067979749
- Артикул
- SCT2280KEHRC11
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 29 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 19 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полупроводниковые барьерные диоды Шоттки Барьерные диоды Шоттки ROHM Semiconductor® SiC (карбид Кремния) обладают низкой общей емкостью (qc), что снижает потери при переключении и обеспечивает высокую скорость переключения. Кроме того, в отличие от быстровосстанавливающиxся диодов на основе кремния, где trr увеличивается вместе с температурой, устройства из SiC соxраняют постоянные xарактеристики, что приводит к повышению производительности. Это делает иx идеальными для использования в качестве ключевыx устройств в различныx областяx применения, включая инверторы и зарядные устройства для электромобилей и кондиционеров солнечной энергии.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 29 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 19 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247N-3 |
| Part # Aliases: | SCT2280KEHR |
| Transistor Type: | Automotive Power MOSFET |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 36 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 108 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -6 V, +22 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 19 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 47 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 14 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Forward Transconductance - Min: | 1.4 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 364 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |