SCT2160KEGC11, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038437636
- Артикул
- SCT2160KEGC11
- Бренд
- Rohm
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- +22V, -6V
- Technology
- SiCFET(Silicon Carbide)
- Вес, г
- 3
Цена по запросу
(от 746,30 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 1200 В 22А (Tc) 165 Вт (Tc) Со сквозным отверстием TO-247N
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Technology | SiCFET(Silicon Carbide) |
| Вес, г | 3 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
| Структура | MOSFET |
| Operating Temperature | 175°C(TJ) |
| Power Dissipation (Pd) | 165W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 208mOhm @ 7A, 18V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 165W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 62nC@18V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.2nF@800V |
| Continuous Drain Current (Id) | 22A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A(Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@2.5mA |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 165 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 208mΩ@7A, 18V |