SCT20N120H, Transistor: N-MOSFET; unipolar
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050706920
- Артикул
- SCT20N120H
- Бренд
- STMicroelectronics
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- +25V, -10V
- Technology
- SiCFET(Silicon Carbide)
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 3 200 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор STMicroelectronics на карбиде кремния изготовлен с использованием передовыx, инновационныx свойств материалов с широкой запрещенной зоной.
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Technology | SiCFET(Silicon Carbide) |
| Вес, г | 1 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D2PAK(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 200°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 10A, 20V |
| Power Dissipation (Max) | 175W(Tc) |
| Supplier Device Package | H2PAK-2 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 20 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 650 pF @ 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A(Tc) |