SCT20N120AG, Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1,2кВ, 16А, Idm: 45А, 153Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003831539
- Артикул
- SCT20N120AG
- Бренд
- STMicroelectronics
- Case
- HIP247™
- Series
- SCT
- Mounting
- THT
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 3 530 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1,2кВ, 16А, Idm: 45А, 153Вт Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | HIP247™ |
| Series | SCT |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Technology | SiC |
| Вес, г | 5.4 |
| Application | automotive industry |
| Gate charge | 45nC |
| Channel Mode | Depletion |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package Type | HiP247 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 16A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 153W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| On-state resistance | 0.22Ω |
| Transistor Material | SiC |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Pulsed drain current | 45A |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 25V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.52 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 16 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 153 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 120 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 153 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |