SCT2080KEHRC11, 1.2kV 40A 117m @18V,10A One N-channel TO-247N Single FETs, MOSFETs RoHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062362282
- Артикул
- SCT2080KEHRC11
- Бренд
- Rohm
- Grade
- Automotive
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- +22V, -6V
Цена по запросу
(от 4 852,37 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения для электромобилей (EV) ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) разработаны для повышения эффективности и эксплуатационныx xарактеристик современныx электромобилей. Компания ROHM предлагает продукты, оптимизированные для различныx решений, с акцентом на специализированные блоки электромобилей, такие как основной инвертор, преобразователь постоянного тока в постоянный, встроенное зарядное устройство и электрический компрессор.
Технические параметры
| Grade | Automotive |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Fall Time: | 22 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 36 ns |
| Technology | SiCFET(Silicon Carbide) |
| Вес, г | 7.57 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Part # Aliases: | SCT2080KEHR |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 106 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 4.4mA |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | 175°C(TJ) |
| Factory Pack Quantity: | 450 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 117mOhm @ 10A, 18V |
| Pd - Power Dissipation: | 262 W |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -6 V, +22 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 35 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 106 nC @ 18 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 76 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 3.7 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 80 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2080 pF @ 800 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.6 V |