SCT SiC N-Channel MOSFET Module, 12 A, 1200 V Depletion, 3-Pin HiP247 SCT10N120
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014533481
- Артикул
- SCT10N120
- Бренд
- STMicroelectronics
- Series
- SCT
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Depletion
Цена по запросу
(от 2 770 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор STMicroelectronics на карбиде кремния изготовлен с использованием передовыx, инновационныx свойств материалов с широкой запрещенной зоной.
Технические параметры
| Series | SCT |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Depletion |
| Channel Type | N |
| Package Type | HiP247 |
| Корпус | HiP247 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Power Dissipation | 150Вт |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | SiC |
| Особенности | depletion-mode fet |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.58 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.5Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 A |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Непрерывный Ток Стока | 12А |
| Рассеиваемая Мощность | 150Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 20В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Стиль Корпуса Транзистора | HiP247 |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Максимальная Рабочая Температура | 200°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.5Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |