SCT1000N170, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015830784
- Артикул
- SCT1000N170
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- SCT1000N170
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 4.5
Цена по запросу
(от 921 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор STMicroelectronics на карбиде кремния изготовлен с использованием передовыx, инновационныx свойств материалов с широкой запрещенной зоной.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | SCT1000N170 |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 4.5 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | 1PCSNChannel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | HiP-247-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 96W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 14 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Drain Source Voltage | 1700V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 120 W |
| Continuous Drain Current | 7A |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +25 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +200 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 1Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1 Ohms |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.7 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.1 V |
| Непрерывный Ток Стока | 7А |
| Рассеиваемая Мощность | 96Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.5В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 20В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.7кВ |
| Стиль Корпуса Транзистора | HiP247 |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Максимальная Рабочая Температура | 200°C |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 96 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |