SCT070W120G3AG,SILICON CARBIDE POWER MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050716837
- Артикул
- SCT070W120G3AG
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand
- STMicroelectronics
- Series
- SCT0
- Pin Count
- 3
- Mount Type
- Through Hole
Цена по запросу
(от 2 440 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор STMicroelectronics на карбиде кремния был разработан с использованием передовой и инновационной теxнологии SiC-МОП-транзисторов 3-го поколения компании ST. Устройство отличается очень низким значением RDS (on) во всем диапазоне температур в сочетании с низкой емкостью и очень высокой скоростью переключения, что повышает эффективность применения с точки зрения частоты, энергоэффективности, размера системы и снижения веса.
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Series | SCT0 |
| Pin Count | 3 |
| Mount Type | Through Hole |
| Вес, г | 0.001 |
| Package Type | Hip-247 |
| Product Type | MOSFET |
| Forward Voltage Vf | 3V |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 |
| Maximum Power Dissipation Pd | 236W |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 41nC |
| Maximum Operating Temperature | 200°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 18 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 63mΩ |