SCT070W120G3-4AG, SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8039049954
- Артикул
- SCT070W120G3-4AG
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand
- STMicroelectronics
- Series
- SCT
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 2 110 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор STMicroelectronics на карбиде кремния был разработан с использованием передовой и инновационной теxнологии SiC-МОП-транзисторов 3-го поколения компании ST. Устройство отличается очень низким значением RDS (on) во всем диапазоне температур в сочетании с низкой емкостью и очень высокой скоростью переключения, что повышает эффективность применения с точки зрения частоты, энергоэффективности, размера системы и снижения веса.
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Series | SCT |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | HiP247-4 |
| Корпус | HiP247 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | Power MOSFET |
| Transistor Material | SiC |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 70 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 63 мОм |