SCT070HU120G3AG, Transistor: N-MOSFET; unipolar
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8040467777
- Артикул
- SCT070HU120G3AG
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand
- STMicroelectronics
- Series
- SCT
- Pin Count
- 7
- Mount Type
- Surface
Цена по запросу
(от 3 330 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор STMicroelectronics на карбиде кремния был разработан с использованием передовой и инновационной теxнологии SiC-МОП-транзисторов 3-го поколения компании ST. Устройство отличается очень низким значением RDS (on) во всем диапазоне температур в сочетании с низкой емкостью и очень высокой скоростью переключения, что повышает эффективность применения с точки зрения частоты, энергоэффективности, размера системы и снижения веса.
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Series | SCT |
| Pin Count | 7 |
| Mount Type | Surface |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | HU3PAK |
| Product Type | Power MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Standards/Approvals | RoHS |
| Особенности | - |
| Maximum Power Dissipation Pd | 23W |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 37nC |
| Maximum Operating Temperature | 175°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 63mΩ |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |