SCT040W120G3AG, SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8040467227
- Артикул
- SCT040W120G3AG
- Бренд
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 4.7
- Корпус
- HiP247
- Структура
- Power MOSFET
- Особенности
- автомобильные приложения
Цена по запросу
(от 2 440 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор STMicroelectronics на карбиде кремния был разработан с использованием передовой и инновационной теxнологии SiC-МОП-транзисторов 3-го поколения компании ST. Устройство отличается очень низким значением RDS (on) во всем диапазоне температур в сочетании с низкой емкостью и очень высокой скоростью переключения, что повышает эффективность применения с точки зрения частоты, энергоэффективности, размера системы и снижения веса.
Технические параметры
| Вес, г | 4.7 |
| Корпус | HiP247 |
| Структура | Power MOSFET |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Пороговое напряжение на затворе | -10 V, +22 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 40 мОм |