Моя заявка (0)

SCT040W120G3-4AG, SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A

SCT040W120G3-4AG, SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8037211541
Артикул
SCT040W120G3-4AG
Бренд
STMicroelectronics
Вес, г
1
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Структура
Power MOSFET
Цена по запросу
(от 1 655,35 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г1
No. of Pins4Pins
Channel TypeN Channel
СтруктураPower MOSFET
Transistor Case StyleHiP247
Особенностиавтомобильные приложения
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Operating Temperature Max200°C
Continuous Drain Current Id40A
MOSFET Module ConfigurationSingle
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт40
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)40 мОм

Техническая документация