Моя заявка (0)

SCT019HU120G3AG,Silicon Carbide MOSFET, AEC-Q101, Single, N Channel, 90 A, 1.2 kV, 0.026 ohm, HU3PAK

SCT019HU120G3AG,Silicon Carbide MOSFET, AEC-Q101, Single, N Channel, 90 A, 1.2 kV, 0.026 ohm, HU3PAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8050718352
Артикул
SCT019HU120G3AG
Бренд
STMicroelectronics
Вес, г
0.001
No. of Pins
7Pins
Channel Type
N Channel
Transistor Case Style
HU3PAK
Цена по запросу
(от 4 240 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.001
No. of Pins7Pins
Channel TypeN Channel
Transistor Case StyleHU3PAK
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Operating Temperature Max175°C
Continuous Drain Current Id90A
MOSFET Module ConfigurationSingle
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт500W
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)18V

Техническая документация