SCT N channel-Channel Power MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 3-Pin HIP-247-3 SCT018W65G3AG
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8057890944
- Артикул
- SCT018W65G3AG
- Бренд
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 1
- No. of Pins
- 3Pins
- Channel Type
- N Channel
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 5 290 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| No. of Pins | 3Pins |
| Channel Type | N Channel |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Case Style | HiP247 |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Drain Source Voltage Vds | 650V |
| Operating Temperature Max | 200°C |
| Continuous Drain Current Id | 55A |
| MOSFET Module Configuration | Single |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 4.2V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 55 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 18 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |