SCT018W65G3AG,Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 55 A, 650 V, 0.027 ohm, HiP247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050719920
- Артикул
- SCT018W65G3AG
- Бренд
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 0.001
- No. of Pins
- 3Pins
- Channel Type
- N Channel
- Transistor Case Style
- HiP247
Цена по запросу
(от 3 200 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.001 |
| No. of Pins | 3Pins |
| Channel Type | N Channel |
| Transistor Case Style | HiP247 |
| Drain Source Voltage Vds | 650V |
| Operating Temperature Max | 200°C |
| Continuous Drain Current Id | 55A |
| MOSFET Module Configuration | Single |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 4.2V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 398W |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 18V |