SCT018W65G3-4AG,Silicon Carbide MOSFET, AEC-Q101, Single, N Channel, 55 A, 650 V, 0.027 ohm, HiP247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046473690
- Артикул
- SCT018W65G3-4AG
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand
- STMicroelectronics
- Series
- SCT
- Pin Count
- 4
- Mount Type
- Through Hole
Цена по запросу
(от 4 860 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор STMicroelectronics на карбиде кремния был разработан с использованием передовой и инновационной теxнологии SiC-МОП-транзисторов 3-го поколения компании ST. Устройство отличается очень низким значением RDS (on) во всем диапазоне температур в сочетании с низкой емкостью и очень высокой скоростью переключения, что повышает эффективность применения с точки зрения частоты, энергоэффективности, размера системы и снижения веса.
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Series | SCT |
| Pin Count | 4 |
| Mount Type | Through Hole |
| Вес, г | 0.608 |
| Product Type | MOSFET |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 |
| Maximum Operating Temperature | 200°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 55A |