Моя заявка (0)

SCT018HU65G3AG,Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 60 A, 650 V, 0.029 ohm, HU3PAK

SCT018HU65G3AG,Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 60 A, 650 V, 0.029 ohm, HU3PAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8050719919
Артикул
SCT018HU65G3AG
Бренд
STMicroelectronics
Вес, г
0.001
No. of Pins
7Pins
Channel Type
N Channel
Transistor Case Style
HU3PAK
Цена по запросу
(от 3 750 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.001
No. of Pins7Pins
Channel TypeN Channel
Transistor Case StyleHU3PAK
Drain Source Voltage Vds650V
Operating Temperature Max175°C
Continuous Drain Current Id60A
MOSFET Module ConfigurationSingle
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт388W
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)18V

Техническая документация