SCT018H65G3AG, SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8041042546
- Артикул
- SCT018H65G3AG
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand
- STMicroelectronics
- Series
- SCT
- Pin Count
- 7
- Mount Type
- Through Hole
Цена по запросу
(от 2 260 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор STMicroelectronics на карбиде кремния был разработан с использованием передовой и инновационной теxнологии SiC-МОП-транзисторов 3-го поколения компании ST. Устройство отличается очень низким значением RDS (on) во всем диапазоне температур в сочетании с низкой емкостью и очень высокой скоростью переключения, что повышает эффективность применения с точки зрения частоты, энергоэффективности, размера системы и снижения веса.
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Series | SCT |
| Pin Count | 7 |
| Mount Type | Through Hole |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | H2PAK-7 |
| Product Type | MOSFET |
| Структура | Power MOSFET |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Standards/Approvals | RoHS |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Maximum Power Dissipation Pd | 385W |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 79.4nC |
| Maximum Operating Temperature | 75°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 55A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 27mΩ |
| Пороговое напряжение на затворе | 4.75V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 20 мОм |