SCT018H65G3-7,Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 55 A, 650 V, 0.027 ohm, H2PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050719918
- Артикул
- SCT018H65G3-7
- Бренд
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 0.001
- No. of Pins
- 7Pins
- Channel Type
- N Channel
- Transistor Case Style
- H2PAK
Цена по запросу
(от 4 200 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.001 |
| No. of Pins | 7Pins |
| Channel Type | N Channel |
| Transistor Case Style | H2PAK |
| Drain Source Voltage Vds | 650V |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| Continuous Drain Current Id | 55A |
| MOSFET Module Configuration | Single |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 4.2V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 385W |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 18V |