Моя заявка (0)

SCT016H120G3AG,Silicon Carbide MOSFET, AEC-Q101, Single, N Channel, 112 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, H2PAK

SCT016H120G3AG,Silicon Carbide MOSFET, AEC-Q101, Single, N Channel, 112 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, H2PAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046493192
Артикул
SCT016H120G3AG
Бренд
STMicroelectronics
Brand
STMicroelectronics
Pin Count
7
Package Type
H²PAK-7
Вес, кг
1.54
Цена по запросу
(от 5 000 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой МОП-транзистор STMicroelectronics разработан с использованием передовой теxнологии SiC-МОП-транзисторов 3-го поколения компании ST. Он отличается очень низким значением RDS (on) в широком диапазоне температур в сочетании с низкой емкостью и высокими коммутационными возможностями. Эти xарактеристики повышают производительность приложений за счет повышения частоты, энергоэффективности и уменьшения размеров и веса системы.

Технические параметры

BrandSTMicroelectronics
Pin Count7
Package TypeH²PAK-7
Вес, кг1.54
Maximum Operating Current112A
Maximum Operating Supply Voltage1200 V

Техническая документация